什么是電荷平衡技術(shù)-SpeedFET
信息化時(shí)代，手機(jī)等電子產(chǎn)品全面普及，伴隨網(wǎng)絡(luò)生活節(jié)奏加快，手機(jī)電池容量逐漸加大，消費(fèi)者迫切需要實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品快速充電，快速充電器的發(fā)展和普及緩解了消費(fèi)者充電的煩惱。實(shí)現(xiàn)快速充電則需要提高充電功率，增加面積。充電器作為移動(dòng)電子設(shè)備配件，體積需要小型化以方便隨身攜帶，與電源效率、溫升產(chǎn)生了矛盾。這就催動(dòng)中低壓MOSFET（BVDSS:60V-100V）同步整流電路，解決大功率，小面積，高效率，低溫升等問題。
為了順應(yīng)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)律，真茂佳采用新型電荷平衡技術(shù)，成功設(shè)計(jì)出性能優(yōu)秀的低壓SpeedFET。相比于傳統(tǒng)TRENCH-MOSFET，SpeedFET的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，具有更好的器件性能。全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，應(yīng)用效率高、損耗低、速度快。以下是與傳統(tǒng)Trench工藝MOS特點(diǎn)對(duì)比：
產(chǎn)品特點(diǎn)一、小面積：相同芯片面積下，SpeedFET的ID@25℃提高約50%；
產(chǎn)品特點(diǎn)二、高效率：SpeedFET的導(dǎo)通更低，同時(shí)Cgd只是傳統(tǒng)Trench工藝的30%，米勒效應(yīng)時(shí)間短，開通損耗大大降低(圖一)。
產(chǎn)品特點(diǎn)三、高速度：SpeedFET的動(dòng)態(tài)參數(shù)（電荷、電容等）是傳統(tǒng)Trench工藝的30%，開關(guān)速度得到有效的增加(圖三)。
產(chǎn)品特點(diǎn)四、低EMI：SpeedFET因面積、動(dòng)態(tài)參數(shù)小的原因，EMI更小。
產(chǎn)品特點(diǎn)五、小型化：DFN小型化封裝、clip先進(jìn)壓焊，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的低導(dǎo)通、小型化、高散熱能力。低封裝寄生參數(shù)，較低的 Ciss 和 Coss，可以降低硬開關(guān)拓?fù)渲械拈_關(guān)損耗。
圖一：Gate Charge Waveform
圖二、EMI測(cè)試
圖三、開關(guān)特性（上圖普通TRENCH-MOSFET,下圖SpeedFET）
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