Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間
2020/7/4 21:36:30 點(diǎn)擊：
【2020 年 5 月 29 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。
DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn)，有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)洌钥s小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。
PowerDI? 3333-8 D 型封裝的 3D 結(jié)構(gòu)有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。完全接地墊片設(shè)計(jì)可帶來良好的散熱效能，降低整個(gè)解決方案的運(yùn)作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。
DMN3012LEG 整合兩個(gè) N 信道的增強(qiáng)模式 MOSFET，非常適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。此組件使用橫向擴(kuò)散 MOS (LDMOS) 制程，結(jié)合快速導(dǎo)通和間斷動(dòng)作，Q1 延遲時(shí)間僅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 最大導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時(shí)僅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 時(shí)則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓，同時(shí)支持 5V 閘極驅(qū)動(dòng)。
DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn)，有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)洌钥s小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。
PowerDI? 3333-8 D 型封裝的 3D 結(jié)構(gòu)有助增加整體功率效率，且高電壓與額定電流大幅擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。完全接地墊片設(shè)計(jì)可帶來良好的散熱效能，降低整個(gè)解決方案的運(yùn)作溫度，還能善用高切換速度及其效率，免去大型電感器和電容器的需求。
DMN3012LEG 整合兩個(gè) N 信道的增強(qiáng)模式 MOSFET，非常適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。此組件使用橫向擴(kuò)散 MOS (LDMOS) 制程，結(jié)合快速導(dǎo)通和間斷動(dòng)作，Q1 延遲時(shí)間僅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 僅 4.4ns 和 12.4ns，且 Q1 最大導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 時(shí)僅 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 時(shí)則是 6mΩ。若閘源極電壓為 10V，DMN3012LEG 可接受 30V 汲源極電壓，同時(shí)支持 5V 閘極驅(qū)動(dòng)。
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