美光商業(yè)機密案，聯(lián)電敗訴，1億罰款，3高管判刑
2020/6/16 13:22:21 點擊：
就美光控告中國臺灣晶圓代工巨頭聯(lián)電間接協(xié)助晉華竊取DRAM制程案，中國臺灣臺中地院日前做出判決：3名聯(lián)電涉案主管最高判刑6年半，聯(lián)電被判罰新臺幣1億元（合人民幣2390萬元）...
據(jù)臺媒報道，上周五，中國臺灣臺中地院就聯(lián)電被控協(xié)助福建晉華以竊取美商科技大廠美光（Micron）動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)技術案做出判決，涉案戎某、何某和王某3人分別被判以4年半~6年半不等的有期徒刑。而聯(lián)電公司則被判罰新臺幣1億元（合人民幣2390萬元）。
據(jù)了解，這一案件的“導火索”是聯(lián)電與福建晉華合作開發(fā)32nm DRAM技術，3名中國臺灣美光高管隨機轉任聯(lián)電引發(fā)商業(yè)間諜疑云。最終導致美光、聯(lián)電與福建晉華之間在美國、中國大陸和臺灣地區(qū)的司法訴訟。
2020年6月12日，經(jīng)中國臺灣臺中地院審理，做出正式以下：判處陳某5年6個月有期徒刑，并科新臺幣500萬元（合人民幣119.5萬元）罰金、對王某處以4年6個月有期徒刑，并科新臺幣400萬元（合人民幣95.6萬元）罰金、對戎某處以6年6個月有期徒刑，并科新臺幣600萬元（合人民幣143.3萬元）罰金，同時宣告沒收3人薪資所得各152萬元至543萬元（合人民幣36萬~129.75萬元）不等；曾經(jīng)任職臺灣美光總經(jīng)理與聯(lián)電副總的福建晉華總經(jīng)理裁陳某目前被檢方提起另案調查，聯(lián)電方被判罰新臺幣1億元（合人民幣2390萬元）， 但仍可上訴至知識產(chǎn)權法院。
中國臺灣臺中地院行政庭長林源森表示，依據(jù)知識產(chǎn)權案件審理法規(guī)定，訴訟資料涉及商業(yè)機密者，審判不公開。此外，林源森稱，該案由該院知識產(chǎn)權專組審理，且是刑事民事一并審理。此案有別于其他刑事案件，若被告判有罪，可向知識產(chǎn)權法院提起上訴，而不是向臺中高分院上訴。
這一案件可以追溯至2016年聯(lián)電與福建晉華集成電路公司簽署技術合作協(xié)定，當時的合作協(xié)議是聯(lián)電協(xié)助福建晉華開發(fā)32nm DRAM相關制程技術。之后，中國臺灣地區(qū)美光3名高管轉任聯(lián)電，之后美光認為，曾在美光工作過的三名員工在加入聯(lián)電時竊走了美光的DRAM制程技術，引發(fā)商業(yè)間諜案疑云。
2017年中國臺灣臺中地檢署以違反《營業(yè)秘密法》起訴聯(lián)電，以及協(xié)理戎某，還有后來加入聯(lián)電的前中國臺灣地區(qū)美光高管何某、王某等。
2018年，美國司法部再以經(jīng)濟間諜等罪起訴聯(lián)電、福建晉華、何某、王某，以及曾任中國臺灣美光總經(jīng)理與聯(lián)電副總的福建晉華總經(jīng)理陳某等人。一旦相關罪名成立，包括陳某等被起訴人將面臨經(jīng)濟間諜罪最高15年有期徒刑及500萬美元罰款。另外，此案還涉及竊取營業(yè)秘密罪，涉案人面臨最高10年有期徒刑。
需要注意的是，聯(lián)電和福建晉華一旦在美國被控罪名成立，可能面臨最高200億美元的罰款。
有分析人士指出，中美貿易戰(zhàn)背景下，中國臺灣正遭受美方壓力，不惜對本土龍頭企業(yè)施以重罰，該判決結果將對聯(lián)電大陸業(yè)務開展帶來不利影響，也將為未來中國臺灣企業(yè)同大陸合作蒙上陰影。更重要的是，大陸存儲產(chǎn)業(yè)已被“盯上”，未來需警惕遭遇進一步打擊的可能。
聯(lián)電發(fā)出聲明：不服判決結果，將上訴
針對此判決結果，聯(lián)電日前發(fā)出聲明，強調未曾違反商業(yè)秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
聯(lián)電聲明全文
關于臺中地院今天就美光公司控告聯(lián)電等人竊取營業(yè)秘密案作出之有罪判決，聯(lián)電表示將依法提起上訴。
www.qvxmfbu.cn
本次DRAM制程技術之研發(fā)，乃臺灣投審會事先核準之專案，并為聯(lián)電以自有技術為出發(fā)點，由三百多位工程師組成的研發(fā)團隊(其中多數(shù)為聯(lián)電經(jīng)驗豐富的研發(fā)人員)通力合作，耗時超過二年自主開發(fā)DRAM制程，且保留相關研發(fā)紀錄，期盼經(jīng)此過程訓練的DRAM研發(fā)人才與研發(fā)結果能根留臺灣。除了工程師們的努力之外，聯(lián)電多年累積的研發(fā)經(jīng)驗及傳承，更是驅動開發(fā)的中流砥柱。
聯(lián)電是臺灣第一家半導體公司，一向正派經(jīng)營，尊重知識產(chǎn)權，對臺灣半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與人才培養(yǎng)貢獻良多。聯(lián)電所有技術均為研發(fā)團隊自主研發(fā)或取得第三人授權。
為有效保護客戶包括營業(yè)秘密在內的知識產(chǎn)權，聯(lián)電在營運的每一環(huán)節(jié)皆有健全的資訊分級、存取控制及監(jiān)管機制。聯(lián)電并定期對員工施予知識產(chǎn)權保護相關之教育訓練，以提升員工的法遵意識；定期進行稽核，確保員工執(zhí)行業(yè)務符合公司智財權保護政策。除前所述政策及作為外，聯(lián)電也持續(xù)引進更為縝密及先進的管理措施及系統(tǒng)，以期能不斷加強并完善智慧財產(chǎn)權之管理。
聯(lián)電并未違反營業(yè)秘密法，并將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中，聯(lián)電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規(guī)定的可議之處，譬如偵訊過程中有不當誘導訊問；對聯(lián)電有利的陳述未能詳實記載于調查筆錄中；電磁及其他證據(jù)在鑒識上不符規(guī)定等等。聯(lián)電堅信上訴法院若能依法并公正審酌本案證據(jù)，必能證明聯(lián)電并未違反營業(yè)秘密法。
至于美光則對判決表示支持，并表示針對此判決結果，聯(lián)電日前發(fā)出聲明，強調未曾違反商業(yè)秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
美光科技聲明
針對此重大違反營業(yè)秘密法之刑事案件，美光欣見中國臺灣臺中地方法院對聯(lián)華電子股份有限公司及其涉案三名員工做出有罪判決，我們對中國臺灣臺中地方法院及司法機關的適切處置深表感謝。
美光于過去四十多年已投入數(shù)十億美元持續(xù)開發(fā)業(yè)界領先的先進技術，且在中國臺灣長期耕耘制程開發(fā)與技術創(chuàng)新，數(shù)千名中國臺灣同仁于此過程中，共同參與研發(fā)公司之智慧財產(chǎn)。美光營業(yè)秘密在中國臺灣被竊用，甚至違法輸出
此案對中國臺灣半導產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展造成之負面影響甚巨，更危及產(chǎn)業(yè)未來的長期國際競爭力。美光將持續(xù)于全球范圍內強力捍衛(wèi)美光的知識產(chǎn)權不受侵害。
關鍵字：美光 聯(lián)電
據(jù)臺媒報道，上周五，中國臺灣臺中地院就聯(lián)電被控協(xié)助福建晉華以竊取美商科技大廠美光（Micron）動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)技術案做出判決，涉案戎某、何某和王某3人分別被判以4年半~6年半不等的有期徒刑。而聯(lián)電公司則被判罰新臺幣1億元（合人民幣2390萬元）。
據(jù)了解，這一案件的“導火索”是聯(lián)電與福建晉華合作開發(fā)32nm DRAM技術，3名中國臺灣美光高管隨機轉任聯(lián)電引發(fā)商業(yè)間諜疑云。最終導致美光、聯(lián)電與福建晉華之間在美國、中國大陸和臺灣地區(qū)的司法訴訟。
2020年6月12日，經(jīng)中國臺灣臺中地院審理，做出正式以下：判處陳某5年6個月有期徒刑，并科新臺幣500萬元（合人民幣119.5萬元）罰金、對王某處以4年6個月有期徒刑，并科新臺幣400萬元（合人民幣95.6萬元）罰金、對戎某處以6年6個月有期徒刑，并科新臺幣600萬元（合人民幣143.3萬元）罰金，同時宣告沒收3人薪資所得各152萬元至543萬元（合人民幣36萬~129.75萬元）不等；曾經(jīng)任職臺灣美光總經(jīng)理與聯(lián)電副總的福建晉華總經(jīng)理裁陳某目前被檢方提起另案調查，聯(lián)電方被判罰新臺幣1億元（合人民幣2390萬元）， 但仍可上訴至知識產(chǎn)權法院。
中國臺灣臺中地院行政庭長林源森表示，依據(jù)知識產(chǎn)權案件審理法規(guī)定，訴訟資料涉及商業(yè)機密者，審判不公開。此外，林源森稱，該案由該院知識產(chǎn)權專組審理，且是刑事民事一并審理。此案有別于其他刑事案件，若被告判有罪，可向知識產(chǎn)權法院提起上訴，而不是向臺中高分院上訴。
這一案件可以追溯至2016年聯(lián)電與福建晉華集成電路公司簽署技術合作協(xié)定，當時的合作協(xié)議是聯(lián)電協(xié)助福建晉華開發(fā)32nm DRAM相關制程技術。之后，中國臺灣地區(qū)美光3名高管轉任聯(lián)電，之后美光認為，曾在美光工作過的三名員工在加入聯(lián)電時竊走了美光的DRAM制程技術，引發(fā)商業(yè)間諜案疑云。
2017年中國臺灣臺中地檢署以違反《營業(yè)秘密法》起訴聯(lián)電，以及協(xié)理戎某，還有后來加入聯(lián)電的前中國臺灣地區(qū)美光高管何某、王某等。
2018年，美國司法部再以經(jīng)濟間諜等罪起訴聯(lián)電、福建晉華、何某、王某，以及曾任中國臺灣美光總經(jīng)理與聯(lián)電副總的福建晉華總經(jīng)理陳某等人。一旦相關罪名成立，包括陳某等被起訴人將面臨經(jīng)濟間諜罪最高15年有期徒刑及500萬美元罰款。另外，此案還涉及竊取營業(yè)秘密罪，涉案人面臨最高10年有期徒刑。
需要注意的是，聯(lián)電和福建晉華一旦在美國被控罪名成立，可能面臨最高200億美元的罰款。
有分析人士指出，中美貿易戰(zhàn)背景下，中國臺灣正遭受美方壓力，不惜對本土龍頭企業(yè)施以重罰，該判決結果將對聯(lián)電大陸業(yè)務開展帶來不利影響，也將為未來中國臺灣企業(yè)同大陸合作蒙上陰影。更重要的是，大陸存儲產(chǎn)業(yè)已被“盯上”，未來需警惕遭遇進一步打擊的可能。
聯(lián)電發(fā)出聲明：不服判決結果，將上訴
針對此判決結果，聯(lián)電日前發(fā)出聲明，強調未曾違反商業(yè)秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
聯(lián)電聲明全文
關于臺中地院今天就美光公司控告聯(lián)電等人竊取營業(yè)秘密案作出之有罪判決，聯(lián)電表示將依法提起上訴。
www.qvxmfbu.cn
本次DRAM制程技術之研發(fā)，乃臺灣投審會事先核準之專案，并為聯(lián)電以自有技術為出發(fā)點，由三百多位工程師組成的研發(fā)團隊(其中多數(shù)為聯(lián)電經(jīng)驗豐富的研發(fā)人員)通力合作，耗時超過二年自主開發(fā)DRAM制程，且保留相關研發(fā)紀錄，期盼經(jīng)此過程訓練的DRAM研發(fā)人才與研發(fā)結果能根留臺灣。除了工程師們的努力之外，聯(lián)電多年累積的研發(fā)經(jīng)驗及傳承，更是驅動開發(fā)的中流砥柱。
聯(lián)電是臺灣第一家半導體公司，一向正派經(jīng)營，尊重知識產(chǎn)權，對臺灣半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展與人才培養(yǎng)貢獻良多。聯(lián)電所有技術均為研發(fā)團隊自主研發(fā)或取得第三人授權。
為有效保護客戶包括營業(yè)秘密在內的知識產(chǎn)權，聯(lián)電在營運的每一環(huán)節(jié)皆有健全的資訊分級、存取控制及監(jiān)管機制。聯(lián)電并定期對員工施予知識產(chǎn)權保護相關之教育訓練，以提升員工的法遵意識；定期進行稽核，確保員工執(zhí)行業(yè)務符合公司智財權保護政策。除前所述政策及作為外，聯(lián)電也持續(xù)引進更為縝密及先進的管理措施及系統(tǒng)，以期能不斷加強并完善智慧財產(chǎn)權之管理。
聯(lián)電并未違反營業(yè)秘密法，并將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。在上訴審中，聯(lián)電將提出本案調查及審理過程中諸多違反刑事訴訟法規(guī)定的可議之處，譬如偵訊過程中有不當誘導訊問；對聯(lián)電有利的陳述未能詳實記載于調查筆錄中；電磁及其他證據(jù)在鑒識上不符規(guī)定等等。聯(lián)電堅信上訴法院若能依法并公正審酌本案證據(jù)，必能證明聯(lián)電并未違反營業(yè)秘密法。
至于美光則對判決表示支持，并表示針對此判決結果，聯(lián)電日前發(fā)出聲明，強調未曾違反商業(yè)秘密法，將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
美光科技聲明
針對此重大違反營業(yè)秘密法之刑事案件，美光欣見中國臺灣臺中地方法院對聯(lián)華電子股份有限公司及其涉案三名員工做出有罪判決，我們對中國臺灣臺中地方法院及司法機關的適切處置深表感謝。
美光于過去四十多年已投入數(shù)十億美元持續(xù)開發(fā)業(yè)界領先的先進技術，且在中國臺灣長期耕耘制程開發(fā)與技術創(chuàng)新，數(shù)千名中國臺灣同仁于此過程中，共同參與研發(fā)公司之智慧財產(chǎn)。美光營業(yè)秘密在中國臺灣被竊用，甚至違法輸出
此案對中國臺灣半導產(chǎn)業(yè)的整體發(fā)展造成之負面影響甚巨，更危及產(chǎn)業(yè)未來的長期國際競爭力。美光將持續(xù)于全球范圍內強力捍衛(wèi)美光的知識產(chǎn)權不受侵害。
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