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霍爾元件之作用原理也就是霍爾效應，所謂霍耳效應如圖1所示，系指將電流I 通至一物質(zhì)，并對與電流成正角之方向施加磁場B 時，在電流與磁場兩者之直角方向所產(chǎn)生的電位差V 之現(xiàn)象。此電壓是在下列情況下所產(chǎn)生的，有磁場B 時，由于弗萊銘(Fleming)左手定則，使洛仁子力(即可使流過物質(zhì)中之電子或正孔向箭頭符號所示之方向彎曲的力量：(Lorentz force)發(fā)生作用，而將電子或正孔擠向固定輸出端子之一面時所產(chǎn)生。電位差V 之大小通常決定于洛仁子力與藉所發(fā)生之電位差而將電 子或正孔推回之力(亦即前者之力等于后者之力)，而且與電流I 乘以磁場B 之積成比例。比例常數(shù)為決定于物質(zhì)之霍耳常數(shù)除以物質(zhì)在磁場方向之厚度所得之值。

SNK-101
?  高靈敏度  銻化銦  霍爾元件  / High-sensitivity InSb Hall Element
?  微型貼片式封裝  （焊盤和SOT143相同）  / Mini-type SMT package (Same as SOT143 land pattern)
?  以卷帶盤形式出廠  （每盤3000個元件）  / Shipment by Embossed-tape reel (3000pcs devices per reel)

在平板半導體介質(zhì)中，電子移動（有電場）的方向，將因磁力的作用（有磁場） ，而改變電子行進的方向。若電場與磁場互相垂直時，其傳導的載子（電子或電洞） ，將集中于平板的上下兩邊，因而形成電位差存在的現(xiàn)象。該電位差即霍爾電壓（霍爾電壓） 在實際的霍爾組件中，一般使用物質(zhì)中之電流載子為電子的N 型半導體材料。將一定之輸入施加至霍爾組件時之輸出電壓，利用上述之關(guān)系予以分析時，可以獲致下列的結(jié)論：
(1) 材料性質(zhì)與霍爾系數(shù)乘以電子移動度之積之平方根成正比。
(2) 材料之形狀與厚度之平方根之倒數(shù)成正比。
 由于上述關(guān)系，實際的霍爾組件中，可將霍爾系數(shù)及電子移動度大的材料加工成薄的十字形予以制成。

圖2系表示3～5 端子之霍爾組件的使用方法，在三端子霍爾元件之輸出可以產(chǎn)生輸入端子電壓之大致一半與輸出信號電壓之和的電壓，而在四端子及五端子霍爾組件中，在原理上雖然可以免除輸入端子電壓的影響，但實際上即使在無磁場時，也有起因于組件形狀之不平衡等因素之不平衡電壓存在。

種類及接法
 

構(gòu)造：

無鐵心型
 鐵心型
 測試用探針霍爾集成電路
 

接法：

三端子組件
 四端子組件
 五端子組件

用途
 霍爾組件有下列三種用法：
(A) 事先使一定電流流過霍爾組件，用以檢出磁場或變換成磁場的其它物理量的方法。
(B) 利用組件的電流、磁場及作為其變量的該兩種量的乘法作用的方法。
(C) 利用非相反性(即在一定磁場中，使與輸入端子通以電流時所得的輸出同方向的電流流過輸出端子時，在輸入端子會產(chǎn)生與最初的電壓反方向的霍爾電壓的現(xiàn)象)的方法。上述各種使用方法的具體例參照前述磁電變換組件的用途的項所述。在這些具體例中，有不少在組件的靈敏度及溫度特性上，霍爾組件形成1 匝(Turn)的線圈有妨礙而難以符合實用。但利用霍爾探針測定磁場因?qū)儆诒容^簡便的用法，已經(jīng)定型，另外例如無電刷馬達(霍爾馬達)開關(guān)等也逐漸進入實用的階段，磁頭的制造也有人嘗試過。