三星官宣第8代V-NAND量產(chǎn)
2022-11-7 15:07:00??????點擊：
11月7日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三級單元（TLC）第8代V-NAND。
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
據(jù)介紹，三星第八代V-NAND采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，不僅可以減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。
通過3D縮放技術(shù)，三星可顯著提升每片晶圓的存儲密度。基于最新NAND閃存標(biāo)準Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達2.4Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星表示，第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石，幫助擴展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲容量，同時其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。
據(jù)悉，三星此前在2022年科技日上首次推出了512Gb TLC第8代V-NAND，位密度提高了42%，并表示全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。
作為全球最大的NAND Flash廠商，三星預(yù)計，到2030年，NAND閃存堆疊層數(shù)將超過1000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
據(jù)介紹，三星第八代V-NAND采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，不僅可以減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。
通過3D縮放技術(shù)，三星可顯著提升每片晶圓的存儲密度。基于最新NAND閃存標(biāo)準Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達2.4Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了1.2倍，可以滿足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星表示，第8代V-NAND有望成為存儲配置的基石，幫助擴展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲容量，同時其應(yīng)用范圍還將拓展至可靠性尤為重要的車載市場。
據(jù)悉，三星此前在2022年科技日上首次推出了512Gb TLC第8代V-NAND，位密度提高了42%，并表示全球最高容量的1Tb TLC V-NAND將于今年年底向客戶提供。
作為全球最大的NAND Flash廠商，三星預(yù)計，到2030年，NAND閃存堆疊層數(shù)將超過1000層，以更好地支持未來的數(shù)據(jù)密集型技術(shù)。
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