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近日有消息稱，臺積電在突破5nm、3nm及未來的2nm之后，下一步就要進軍1nm工藝了。
根據臺積電的規劃，今年會量產5nm工藝，2022年則會量產3nm工藝，2025年則是量產2nm工藝，這一代會開始使用GAA晶體管，放棄現在的FinFET晶體管技術。
2nm之后呢？
此前有消息稱Intel、臺積電及三星這三大芯片廠商正在攻克1.4nm工藝，預計2027年左右會出現成果。
1.4nm之后則1nm工藝，這個節點曾經被認為是摩爾定律的物理極限，是無法實現的，但是臺積電曾在其股東大會上表態，正在一步步逼近1nm工藝。
1nm工藝不僅僅是這個數字看上重要，它還有更深的含義——1nm級別的工藝有可能是硅基半導體的終結，再往下走就需要換材料了，比如納米片、碳納米管等等，2017年IBM領銜的科研團隊就成功使用碳納米管制造出了1nm晶體管。在2019年的Hotchips會議上，臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森（Philip Wong）在演講中就談到過半導體工藝極限的問題，他認為到了2050年，晶體管來到氫原子尺度，即0.1nm。
據悉，臺積電已經啟動了先導計劃，傳聞中的1nm晶圓廠將落戶新竹科技園下屬的桃園龍潭園區。10月31日消息，據臺灣《工商時報》報道，繼竹科2nm廠之后，臺積電將啟動先導計劃，預計最新2nm以下（1nm）制程擬落腳新竹科學園區轄下的桃園龍潭園區。
對此，竹科管理局長王永壯回應稱，關于個別廠商布局情況，在廠商宣布之前不便透露，但單純以龍潭園區來說，第一期事業專用區用地已差不多滿了，第二期主要規劃為公園、綠地開放空間，未來若有新廠想要進駐、設廠，確實要展開第三期基地評估規劃工作。按照這個情況，臺積電已經為1nm做規劃了，正式量產1nm工藝可能要到2027年去了。
不過真正量產1nm還需要很長時間，其中關鍵的設備就是下一代EUV光刻機，要升級下一代的高NA（數值孔徑）標準，從現在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味著更分辨率更高，是3nm之后的工藝必備的條件。
按照ASML的計劃，下一代EUV光刻機的試驗型號最快明年就開始出貨，2025年后達到正式量產能力，售價將達到4億美元以上。