英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
2023-12-9 15:05:05??????點(diǎn)擊：
數(shù)據(jù)中心和計(jì)算應(yīng)用對(duì)電源的需求日益增長(zhǎng)，需要提高電源的效率并設(shè)計(jì)緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS 7系列。OptiMOS 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。
OptiMOS 7 功率MOSFET
該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級(jí)和門級(jí)居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS 7 15 V技術(shù)專為低輸出電壓下的DC-DC轉(zhuǎn)換定制，尤其適合服務(wù)器和計(jì)算環(huán)境。這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)符合數(shù)據(jù)中心配電中出現(xiàn)的48:1 DC-DC轉(zhuǎn)換的新趨勢(shì)。
與現(xiàn)有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS 7 15 V通過(guò)降低擊穿電壓，將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%，并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號(hào)提供更靈活優(yōu)化的PCB設(shè)計(jì)。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過(guò)500 A，典型RthJC為1.6 K/W。通過(guò)最大程度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗并采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)化散熱管理，樹立了功率密度和整體效率的新標(biāo)桿。
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