德州儀器TI推出全新隔離產(chǎn)品系列，可將高電壓應(yīng)用的使用壽命延長至 40 年以上
2023-10-4 9:15:10??????點擊：
（2023 年 9 月 20 日） - 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出基于信號隔離半導(dǎo)體技術(shù)的全新光耦仿真器產(chǎn)品系列，旨在提高信號完整性、降低功耗并延長高電壓工業(yè)和汽車應(yīng)用的使用壽命。這是德州儀器第一款與業(yè)內(nèi)常見的光耦合器引腳對引腳兼容的光耦仿真器，可無縫集成到現(xiàn)有設(shè)計中，同時能充分發(fā)揮基于二氧化硅 (SiO2) 的隔離技術(shù)的獨特優(yōu)勢。如需了解更多信息，請訪問 TI.com/opto-emulators。
德州儀器接口產(chǎn)品總經(jīng)理 Tsedeniya Abraham 表示：“隨著電氣化進程的不斷推進，以及高電壓電源系統(tǒng)的日益復(fù)雜，工程師需要在確保正確隔離級別的同時，提高其產(chǎn)品的性能和使用壽命。我們?nèi)碌墓怦罘抡嫫鳟a(chǎn)品系列不僅滿足了對高可靠性、高性價比隔離技術(shù)持續(xù)增長的需求，也踐行了我們投資高電壓技術(shù)的承諾。”
使用德州儀器基于 SiO2 的隔離技術(shù)提高可靠性
光耦合器通過集成一個 LED 來隔離信號，在過去一直是工程師的常用選擇，但光耦合器需要預(yù)先進行超裕度設(shè)計，用于補償 LED 不可避免的老化效應(yīng)。德州儀器的光耦仿真器使用 SiO2 隔離柵，無需進行超裕度設(shè)計，可完全消除 LED 的老化效應(yīng)。德州儀器的 SiO2 隔離柵具有 500VRMS/μm 的高介電強度，使新器件產(chǎn)品系列可為終端產(chǎn)品設(shè)計提供長達 40 多年的保護。光耦仿真器還能提供高達3,750VRMS 的隔離保護，同時降低高達 80% 的功耗。
此外，該產(chǎn)品系列可耐受 –55°C 至 125°C 的寬工作溫度范圍，同時可提供比光耦合器高多達 10 倍的共模瞬態(tài)抗擾度。
德州儀器的全新光耦仿真器產(chǎn)品系列秉承公司幫助工程師解鎖高電壓應(yīng)用潛力的承諾。如需了解更多信息，請訪問 TI.com/highvoltage。
封裝和供貨情況
光耦仿真器產(chǎn)品現(xiàn)支持預(yù)量產(chǎn)，可通過 TI.com/opto-emulators 獲取。
· 封裝尺寸小，為 4.8mm x 3.5mm
· 支持多種付款方式和發(fā)貨方式
· 汽車版本的光耦仿真器產(chǎn)品預(yù)計將于 2024 年面市
德州儀器接口產(chǎn)品總經(jīng)理 Tsedeniya Abraham 表示：“隨著電氣化進程的不斷推進，以及高電壓電源系統(tǒng)的日益復(fù)雜，工程師需要在確保正確隔離級別的同時，提高其產(chǎn)品的性能和使用壽命。我們?nèi)碌墓怦罘抡嫫鳟a(chǎn)品系列不僅滿足了對高可靠性、高性價比隔離技術(shù)持續(xù)增長的需求，也踐行了我們投資高電壓技術(shù)的承諾。”
使用德州儀器基于 SiO2 的隔離技術(shù)提高可靠性
光耦合器通過集成一個 LED 來隔離信號，在過去一直是工程師的常用選擇，但光耦合器需要預(yù)先進行超裕度設(shè)計，用于補償 LED 不可避免的老化效應(yīng)。德州儀器的光耦仿真器使用 SiO2 隔離柵，無需進行超裕度設(shè)計，可完全消除 LED 的老化效應(yīng)。德州儀器的 SiO2 隔離柵具有 500VRMS/μm 的高介電強度，使新器件產(chǎn)品系列可為終端產(chǎn)品設(shè)計提供長達 40 多年的保護。光耦仿真器還能提供高達3,750VRMS 的隔離保護，同時降低高達 80% 的功耗。
此外，該產(chǎn)品系列可耐受 –55°C 至 125°C 的寬工作溫度范圍，同時可提供比光耦合器高多達 10 倍的共模瞬態(tài)抗擾度。
德州儀器的全新光耦仿真器產(chǎn)品系列秉承公司幫助工程師解鎖高電壓應(yīng)用潛力的承諾。如需了解更多信息，請訪問 TI.com/highvoltage。
封裝和供貨情況
光耦仿真器產(chǎn)品現(xiàn)支持預(yù)量產(chǎn)，可通過 TI.com/opto-emulators 獲取。
· 封裝尺寸小，為 4.8mm x 3.5mm
· 支持多種付款方式和發(fā)貨方式
· 汽車版本的光耦仿真器產(chǎn)品預(yù)計將于 2024 年面市
- 上一篇：上半年行情“慘淡”之下，國內(nèi)50家車用MCU玩家集體加速產(chǎn)品 2023/10/4
- 下一篇：2nm 半導(dǎo)體代工競賽拉開帷幕：臺積電、三星和 Rapidu 2023/10/3
