中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線
2023-12-5 11:09:57??????點擊：
據(jù)“AUTOSEMO”消息，11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，具有獨立自主的知識產(chǎn)權(quán)、自主設(shè)計的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。
中汽創(chuàng)智表示，通過以SiC模塊為切入點，快速形成SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術(shù)的車載集成電源系統(tǒng)開發(fā)能力，逐步建立起從上游芯片設(shè)計、模塊封裝，到下游應(yīng)用支持的“一站式” 能力。
現(xiàn)場，中汽創(chuàng)智和積塔半導(dǎo)體進(jìn)行了戰(zhàn)略合作簽約。中汽創(chuàng)智稱，此次與積塔半導(dǎo)體正式簽署戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步拉通了第三代半導(dǎo)體上下游資源，為中汽創(chuàng)智穩(wěn)步實施虛擬IDM戰(zhàn)略，實現(xiàn)車規(guī)級芯片自主研發(fā)和制造奠定堅實基礎(chǔ)。
未來，中汽創(chuàng)智自主研發(fā)的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產(chǎn)品將陸續(xù)與積塔半導(dǎo)體進(jìn)行深度合作。中汽創(chuàng)智與積塔半導(dǎo)體等汽車芯片產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)資源將始終堅持強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、優(yōu)勢互補(bǔ)，以追求、引領(lǐng)行業(yè)趨勢為發(fā)展方向，加速實現(xiàn)國產(chǎn)芯片的戰(zhàn)略目標(biāo)。
資料顯示，中汽創(chuàng)智由中國一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)集團(tuán)、長安汽車和南京江寧經(jīng)開科技共同出資設(shè)立。
而積塔半導(dǎo)體在中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)和徐匯區(qū)建有兩個廠區(qū)，已建和在建產(chǎn)能共計28萬片/月（折合8英寸計算），其中6英寸7萬片/月、8英寸11萬片/月、12英寸5萬片/月、SiC 3萬片/月。
積塔半導(dǎo)體是國內(nèi)較早具備SiC功率器件制造能力的企業(yè)，工藝技術(shù)平臺覆蓋JBS和MOSFET等，已建成自主知識產(chǎn)權(quán)的車規(guī)級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺、650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。
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