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半導(dǎo)體大廠積極布局，與此同時(shí)，各國也正加大補(bǔ)貼力度推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向前邁進(jìn)，美國是其中之一。
博世將獲2.25億美元芯片補(bǔ)貼，用于生產(chǎn)碳化硅
近期，美國商務(wù)部宣布，已與德國汽車零部件供應(yīng)商博世達(dá)成初步協(xié)議，美國計(jì)劃向博世位于加州的晶圓廠改造項(xiàng)目提供2.25億美元直接資金和 3.5 億美元貸款，以助力博世在加州生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體。
資料顯示，2023年博世收購了TSI Semiconductors，取得了后者位于加州羅斯維爾的8英寸晶圓廠所有權(quán)，計(jì)劃耗資19億美元將該晶圓廠改造為碳化硅生產(chǎn)設(shè)施，目標(biāo)2026年投產(chǎn)。美國商務(wù)部表示，博世在加州的半導(dǎo)體廠預(yù)計(jì)將在產(chǎn)能全開時(shí)占據(jù)全美碳化硅芯片制造產(chǎn)能超過40%的比重。
博世表示，碳化硅有助于在電動(dòng)汽車和插電式混合動(dòng)力汽車中實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程和更高效的充電，從而為消費(fèi)者提供負(fù)擔(dān)得起的電動(dòng)汽車選擇。
據(jù)悉，除了直接資金和貸款之外，博世還計(jì)劃向美國財(cái)政部申請相當(dāng)于合格資本支出額25%的先進(jìn)制造投資抵免。
發(fā)力氮化鎵，格芯又獲美國補(bǔ)貼
12月初，格芯官網(wǎng)消息，該公司又獲得了美國950萬美元資助，用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠的硅基氮化鎵半導(dǎo)體的生產(chǎn)。
獲得上述資金之后，格芯將繼續(xù)為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設(shè)備和原型開發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。
據(jù)媒體報(bào)道，自2020年以來，格芯已從美國獲得了高額資金，用于支持研究、開發(fā)和全面制造氮化鎵芯片。其中，2023年10月，格芯宣布獲得美國政府提供的3500萬美元聯(lián)邦資金。
業(yè)務(wù)進(jìn)展上，今年7月，格芯收購了Tagore Technology的氮化鎵功率產(chǎn)品組合，并在印度加爾各答創(chuàng)建了功率中心。該中心與格芯位于佛蒙特州的工廠密切配合并為其提供支持，有助于推動(dòng)格芯在氮化鎵芯片制造領(lǐng)域的研發(fā)和量產(chǎn)。