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SiC材料由于具有高硬度、耐熱性和耐高壓能力，可實(shí)現(xiàn)高效率和穩(wěn)健的功率半導(dǎo)體，越來越廣泛被應(yīng)用于太陽光電(PV)、工業(yè)電源和電動車(EV)的充電基礎(chǔ)設(shè)施。然而，SiC仍存在生產(chǎn)瓶頸尚未解決、原料晶柱質(zhì)量不穩(wěn)定導(dǎo)致良率問題以及SiC組件的成本過高等挑戰(zhàn)，使得SiC市場仍面臨巨大的產(chǎn)能缺口。

碳化硅(SiC)芯片經(jīng)常出現(xiàn)在媒體報(bào)導(dǎo)中，這一事實(shí)充份預(yù)告著這種寬能隙(wide bandgap；WBG)半導(dǎo)體材料已經(jīng)認(rèn)證，可望成為打造更小、更輕且更高效的電力電子組件之顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)。
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics；ST)宣布開始在其最近收購的瑞典Norrk?ping廠生產(chǎn)200mm SiC晶圓，以用于功率組件的原型設(shè)計(jì)。這是意法半導(dǎo)體目前在其于意大利卡塔尼亞(Catania)和新加坡宏茂橋(Ang Mo Kio)的兩條150mm晶圓產(chǎn)線生產(chǎn)大量STPOWER SiC產(chǎn)品之外的重大轉(zhuǎn)變。
2019年，意法半導(dǎo)體以近1.375億美元完成對瑞典SiC晶圓制造商N(yùn)orstel AB的收購。雖然意法半導(dǎo)體持續(xù)其生產(chǎn)150mm裸晶和外延SiC晶圓，但這筆交易顯然針對的是200mm晶圓生產(chǎn)的研發(fā)。更先進(jìn)、更具成本效益的200mm SiC量產(chǎn)，將有助于推動意法半導(dǎo)體為汽車和工業(yè)設(shè)計(jì)制造MOSFET和二極管。
盡管如此，為了加強(qiáng)SiC供應(yīng)鏈，在此SiC功率組件成長時(shí)期，意法半導(dǎo)體也與Cree簽署晶圓供應(yīng)協(xié)議。意法半導(dǎo)體將持續(xù)采用Cree的150mm SiC裸晶和外延晶圓，用于打造汽車和工業(yè)應(yīng)用所需的功率組件。今年初，意法半導(dǎo)體并與SiCrystal簽署類似的多年供應(yīng)協(xié)議，以加碼超過1.2億美元的先進(jìn)150mm SiC晶圓供應(yīng)。SiCrystal是一家總部位于德國紐倫堡的ROHM子公司，專注于SiC晶圓制造多年。
另一家歐洲芯片制造商英飛凌科技(Infineon Technologies)繼收購Cree的Wolfspeed業(yè)務(wù)后，日前并與日本晶圓制造商昭和電工株式會社(Showa Denko K.K.)洽談SiC材料和外延技術(shù)。據(jù)英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁Peter Wafer表示，未來五年，基于SiC的半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將以每年30%至40%的速度成長。
SiC材料由于具有高硬度、耐熱性和耐高壓能力，可實(shí)現(xiàn)高效率和穩(wěn)健的功率半導(dǎo)體，越來越廣泛被應(yīng)用于太陽光電(PV)、工業(yè)電源和電動車(EV)的充電基礎(chǔ)設(shè)施。然而，SiC仍存在生產(chǎn)瓶頸尚未解決、原料晶柱質(zhì)量不穩(wěn)定導(dǎo)致良率問題以及SiC組件的成本過高等挑戰(zhàn)，使得SiC市場仍面臨巨大的產(chǎn)能缺口。
盡管如此，晶圓供應(yīng)對于芯片業(yè)從硅過渡到SiC半導(dǎo)體組件至關(guān)重要。業(yè)界多起晶圓收購與交易與合作協(xié)議，充份展現(xiàn)芯片制造商如何透過內(nèi)部和外部資源以因應(yīng)市場需求，并進(jìn)一步推動SiC半導(dǎo)體的規(guī)模經(jīng)濟(jì)。