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今年上半年，三星宣布其3nm GAA工藝已成功流片（Tape Out），不久前，三星宣布將量產(chǎn) 3GAE（3nm Gate-All-Around Early）和 3GAP（3nm Gate-All-Around Plus）節(jié)點，從而帶來令人難以置信的性能和能效提升。
但是在10月7日舉辦的“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動上，三星表示3nm制程將推遲到2022年上半年量產(chǎn)。
原因可能是三星擔心如此早批量生產(chǎn)這些節(jié)點可能會導(dǎo)致較低的良率百分比，這將導(dǎo)致三星浪費無數(shù)資源向客戶交付小批量晶圓，進一步加劇持續(xù)的芯片短缺。
推遲量產(chǎn)將使三星能夠建立穩(wěn)固的基礎(chǔ)，更早地完成實驗過程，并以更快的速度向各種客戶生產(chǎn)更多的晶圓。
率先將GAA工藝引入到了3nm
雖然三星3nm的量產(chǎn)時間相比之前的規(guī)劃有所延后，但是由于其率先將GAA工藝引入到了3nm當中，這也使得其3nm的性能有望領(lǐng)先于臺積電依然基于FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）工藝的3nm工藝。
傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）通過降低電壓來節(jié)省功耗，然而，平面晶體管的短溝道效應(yīng)限制了電壓的繼續(xù)降低，而FinFET的出現(xiàn)使得電壓得以再次降低，但隨著工藝的繼續(xù)推進，F(xiàn)inFET已經(jīng)不足以滿足需求。于是，GAA技術(shù)應(yīng)運而生。
典型的GAA形式——GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是納米線溝道設(shè)計，溝道整個外輪廓都被柵極完全包裹，代表柵極對溝道的控制性更好。相比之下，傳統(tǒng)的FinFET 溝道僅3 面被柵極包圍。GAAFET 架構(gòu)的晶體管提供比FinFET 更好的靜電特性，可滿足某些柵極寬度的需求。這主要表現(xiàn)在同等尺寸結(jié)構(gòu)下，GAA 的溝道控制能力強化，尺寸可以進一步微縮。
不過，三星認為采用納米線溝道設(shè)計不僅復(fù)雜，且付出的成本可能也大于收益。因此，三星采用了全新的GAA形式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），采用多層堆疊的納米片來替代GAAFET中的納米線。
三星表示，MBCFET可以在保留所有GAAFET優(yōu)點的情況下，最小化復(fù)雜度。同時，MBCFET的設(shè)計可以兼容之前的FinFET技術(shù)，可以直接將為FinFET的設(shè)計遷移到MBCFET上，在不提升面積的情況下，提升性能。
盡管三星聲稱其 3nm 技術(shù)與其 7nm LPP 節(jié)點相比將提供 35% 的性能提升和 50% 的功耗節(jié)省，但尚未確定它與臺積電的 3nm 產(chǎn)品相比如何。
盡管據(jù)報道蘋果已經(jīng)從臺積電獲得了最初的 3nm 芯片供應(yīng)，但由于生產(chǎn)這種光刻技術(shù)的芯片帶來的諸多問題，這家臺灣制造商可能不得不推遲批量生產(chǎn)。
從目前的信息來看，三星3nm的客戶將包括手機芯片大廠高通、服務(wù)器芯片廠商IBM、GPU芯片廠商NVIDIA，以及三星自家的旗艦芯片。